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Dの回路はBの回路のプルアップ抵抗のみ強化した場合です。
DS18B20のDQ〜GND間の波形をモニタしております。
H:10[μS/div]&0.1[mS/div] V:1[V/div]です。
D11、D12はセンサー1側 D13、D14は45[m]端のセンサ2の波形です
ラズパイ近傍のプルアップ抵抗4.7[kΩ]にパラに2.2[kΩ]を付加した場合です。
線間容量が2700[pF]加味されTrはお馴染みのRC充電波形となります
プルアップ抵抗追加でパルス幅が短いと"H"のスレッショルドを超えられない場面は解消です。
45[m]先のICのアンダーシュートが厳しいそうです。
波形を見る限りラズパイ側のプルアップ抵抗を小さくするだけでもよさそうな気もします〜。

【D11_4.7k&2.2k_L_0.1m側&45m.jpg : 86.4KB】

【D12_4.7k&2.2k_L_0.1m側&45m.jpg : 94.5KB】

【D13_4.7k&2.2k_L_0.1m&45m側.jpg : 94.2KB】

【D14_4.7k&2.2k_L_0.1m&45m側.jpg : 88.6KB】
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